一种芯片原子钟的晶振老化补偿方法及系统

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一种芯片原子钟的晶振老化补偿方法及系统
申请号:CN202411043243
申请日期:2024-07-31
公开号:CN119051650A
公开日期:2024-11-29
类型:发明专利
摘要
本发明公开一种芯片原子钟的晶振老化补偿方法及系统,该方法包括:获取芯片原子钟晶振的工作数据;设置受时间和温度影响的老化补偿模型、受湿度和机械应力影响的老化补偿模型和受电压和温度影响的老化补偿模型,并根据工作数据,分别计算由于晶振的工作时长和当前温度变化导致的第一频率偏移指数、由于晶振的当前湿度和当前机械应力导致的第二频率偏移指数和由于晶振的当前电压和当前温度变化导致的第三频率偏移指数;设置晶振综合补偿模型,并根据第一频率偏移指数、第二频率偏移指数和第三频率偏移指数,计算晶振的综合补偿指数,将晶振的综合补偿指数归一化到晶振的频率偏移的范围内,按照归一化后的晶振的综合补偿指数对晶振进行老化补偿。
技术关键词
指数 老化补偿方法 老化补偿系统 频率 原子钟 因子 芯片 应力 电压 机械 数据 模块
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