一种氮化镓半桥表贴封装结构及工艺

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一种氮化镓半桥表贴封装结构及工艺
申请号:CN202411057244
申请日期:2024-08-02
公开号:CN118825003A
公开日期:2024-10-22
类型:发明专利
摘要
一种氮化镓半桥表贴封装结构及工艺,包括上桥芯片、下桥芯片、输出电极、输入正电极、输入负电极、上桥栅极控制电极、下桥栅极控制电极和基板,下桥芯片下方与基板固定连接,所述下桥芯片上方通过下桥锡珠分别与输出电极、下桥栅极控制电极、输入负电极相连,所述上桥芯片下方通过上桥锡珠分别与电极输出电极、上桥栅极控制电极、输入正电极相连。通过将芯片放置为上下结构,输入正负极设置为叠层结构,使整体的封装结构更加紧凑,以及杂散电感、分布电阻更小,电性能的稳定性及封装稳定性高。
技术关键词
封装结构 芯片 正电极 栅极 杂散电感 叠层结构 封装工艺 基板 绝缘板 合金材料 焊料 夹具 包裹 电气 电阻
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