具有复合电流阻挡层的发光二极管芯片及其制备方法

本公开提供了一种具有复合电流阻挡层的发光二极管芯片及其制备方法，属于半导体技术领域。发光二极管芯片包括外延层和复合电流阻挡层；复合电流阻挡层位于外延层的一侧，复合电流阻挡层包括依次层叠的第一电流阻挡层和第二电流阻挡层，所述发光二极管芯片的沟道的刻蚀角度为60～80°。本公开可以有效的提高发光二极管芯片的出光效率。