半导体晶体管的性能检测方法、检测装置及存储介质

本发明涉及半导体晶体管检测技术领域，特别是半导体晶体管的性能检测方法、检测装置及存储介质。计算目标半导体晶体管的封装偏差产生寄生电容的概率值，基于概率值以及信号延迟异常样本曲线对目标半导体晶体管的性能分析；规划出温度反常寄生电容异变区域块，若温度反常寄生电容异变区域块中的目标半导体晶体管可通过降噪机制调节阈值电压回升，则分析目标半导体晶体管处于温度反常寄生电容异变区域块的信号处理性能；若不可通过降噪机制调节阈值电压回升，则分析计算目标半导体晶体管处于高温导致漏电流的噪声环境下的电流响应性能。本发明能够对半导体晶体管的性能进行多方面检测，以提高半导体晶体管在集成电路上的控制性能。