一种稳定蚀刻TiN的长寿命芯片清洗液、其制备方法和应用

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一种稳定蚀刻TiN的长寿命芯片清洗液、其制备方法和应用
申请号:CN202411075844
申请日期:2024-08-07
公开号:CN119020039B
公开日期:2025-07-15
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种稳定蚀刻TiN的长寿命芯片清洗液、其制备方法和应用,本发明稳定蚀刻TiN的长寿命芯片清洗液包括重量配比如下的各组分:环状化合物0.3‑1份;过氧化氢15‑25份;碱5‑15份;缓蚀剂0.1‑0.5份;超纯水50‑90份。本发明稳定蚀刻TiN的长寿命芯片清洗液能有效抑制过氧化氢的分解和稳定蚀刻氮化钛硬掩膜。本发明稳定蚀刻TiN的长寿命芯片清洗液在持续投入芯片的情况下,仍然能够稳定蚀刻氮化钛硬掩膜,同时保证芯片上的残留物被清洗完全。本发明稳定蚀刻TiN的长寿命芯片清洗液在半导体芯片清洗领域具有非常良好的应用前景和大规模工业化推广潜力。
技术关键词
长寿命芯片 清洗液 环状化合物 蚀刻 氮化钛硬掩膜 半导体芯片清洗 缓蚀剂 超纯水 吲唑类化合物 二甘醇胺 酞菁 异丁醇 冠醚 异丙醇 甲基 二氟 二氢 加热
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