芯片接合薄膜和半导体装置

本发明提供芯片接合薄膜和半导体装置。本发明所述的芯片接合薄膜是包含热固性树脂作为有机成分的芯片接合薄膜，在热固化后，150℃下的储能模量为200MPa以上，该芯片接合薄膜在被覆接合于镀银的铜引线框的状态下，在温度为85℃且相对湿度为60％RH的环境下暴露168小时后，在260℃下相对于前述镀银的铜引线框而言的剪切粘接力为3MPa以上。