一种射频芯片倒装互连结构及制备方法

本发明公开了一种射频芯片倒装互连结构及制备方法，该结构包括相同尺寸的第一基底以及第二基底，第一基底的焊盘上键合有多个第一钉头凸点，第二基底的焊盘上键合有多个与第一钉头凸点位置对应的第二钉头凸点；其中，第一钉头凸点的直径小于第一基底的焊盘直径，第一钉头凸点的直径大于第二钉头凸点的直径，且第一钉头凸点的维氏硬度大于第二钉头凸点的维氏硬度，本发明通过制作不同维氏硬度的钉头凸点于两个基底上，低维氏硬度的钉头凸点通过在倒装过程中的大变形量为另一侧的高维氏硬度的钉头凸点高度提供补偿，高维氏硬度的钉头凸点通过在倒装过程中的小变形量保证空气腔高度的可控塌陷，避免射频信号在倒装结构传输过程中的串扰和自激。