半导体器件

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半导体器件
申请号:CN202410790855
申请日期:2024-06-19
公开号:CN119183300A
公开日期:2024-12-24
类型:发明专利
摘要
一种半导体器件包括下芯片结构和位于所述下芯片结构上的上芯片结构。所述下芯片结构包括:存储结构;下互连结构,所述下互连结构电连接到所述存储结构;以及下接合焊盘,所述下接合焊盘电连接到所述下互连结构。所述上芯片结构包括:上基底;外围晶体管,所述外围晶体管位于所述上基底上;第一上互连结构,所述第一上互连结构在所述上基底上电连接到所述外围晶体管;通路,所述通路穿透所述上基底并电连接到所述第一上互连结构;上接合焊盘,所述上接合焊盘位于所述上基底下方接合到所述下接合焊盘;以及中间连接结构,所述中间连接结构在所述上基底和所述下芯片结构之间电连接所述上接合焊盘和所述通路。
技术关键词
互连结构 芯片结构 布线连接结构 读出放大器 半导体器件 互连线 焊盘阵列 数据存储结构 上半导体衬底 位线 基底 晶体管 阻挡层 栅极 导电柱
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