功率半导体器件的封装结构、方法及电子设备

本申请涉及半导体器件技术领域，公开了一种功率半导体器件的封装结构、方法及电子设备，其中，该申请的封装结构包括金属片、第一半导体芯片、引线框架和第二半导体芯片；所述引线框架包括相互隔离的基岛、第一管脚和第二管脚，所述基岛的第一面通过第一结合层连接所述第一半导体芯片的源极，所述第一半导体芯片的栅极连接所述第二管脚；所述金属片通过第二结合层连接所述第一半导体芯片的漏极；所述基岛的第二面通过第三结合层连接所述第二半导体芯片的漏极，所述第二半导体芯片的栅极通过第一键合线连接所述第一管脚，所述第二半导体芯片的源极通过第二键合线连接所述第二管脚。本申请在提高导通效率和散热性能的同时，降低了封装成本。