一种实现GaAs芯片电磁屏蔽功能的封装的方法及GaAs芯片

本发明公开了一种实现GaAs芯片电磁屏蔽功能的封装的方法及GaAs芯片，属于半导体封装技术领域。包括封装基板、封装基板上包括由若干GaAs管芯构成的器件区和围绕所述器件区的边框周侧区；在GaAs管芯侧面形成的第一电磁屏蔽层，形成于边框周侧区的第二电磁屏蔽层；位于GaAs管芯表面与第一电磁屏蔽层和第二电磁屏蔽层形成接地电连接的第三电磁屏蔽层。本申请通过第一电磁屏蔽层、第二电磁屏蔽层以及第三电磁屏蔽层电连接形成GaAs芯片的周侧和上表面的全包围电磁屏蔽结构，极大提高了GaAs芯片的电磁屏蔽效果，使得对电磁敏感的GaAs芯片获得有效的保护。