一种半导体器件及其制备方法

本发明涉及一种半导体器件及其制造方法，包括封装基板、基座、电连接件和若干个芯片。封装基板包括第一布线层和第一电性引脚，第一电性引脚位于封装基板的底部并与第一布线层电连接；基座包括第二布线层、第三布线层和第二电性引脚；基座嵌合到封装基板内，且封装基板和基座的顶面与底面平齐；第二电性引脚位于基座的底部并与第二布线层电连接；若干个芯片贴装到基座的顶部，且至少一个芯片顶部的电极与电连接件电连接，并通过具有半蚀刻结构的框架连接至第一布线层；芯片底部的至少一个电极连接至第二电性引脚；其他芯片的底部电极基于第三布线层形成互联。此外，本发明还提供了一种半导体器件的制备方法。使用本发明的半导体器件制备方法制成的半导体器件具有载流能力强且寄生电感小的优点。