Micro-LED垂直芯片结构及其制备方法

本发明公开了一种Micro‑LED垂直芯片结构及其制备方法，通过在第二掺杂类型半导体层被刻蚀的区域内形成与第二掺杂类型半导体层不同掺杂类型或者不同掺杂浓度的限制层，在被刻蚀的侧壁之间形成空间电荷区，以此控制电流流动路径，使其绕开被刻蚀的侧壁，大幅减少因刻蚀损伤引入的非辐射复合中心和漏电流，同时也不会引入其他不利于器件性能的问题。