一种刻蚀侧壁光滑SiC沟槽的方法

本发明公开了一种刻蚀侧壁光滑SiC沟槽的方法，本发明涉及半导体加工技术领域，刻蚀侧壁光滑S i C沟槽的方法包括样品准备和预处理、样品清洗和干燥、配置刻蚀溶液、进行刻蚀、表面处理、光滑处理和结果分析步骤，本发明的优点在于：通过构建一个综合的刻蚀效果分析数据库，并利用机器学习算法对数据库中的数据进行深度挖掘与分析，挖掘出刻蚀效果与工艺参数之间的复杂关系与潜在规律，从而实现了刻蚀工艺参数的智能化预测与优化，提高了刻蚀实验的准确性和效率，还降低了实验成本和时间消耗，为半导体器件及微纳加工领域的工艺开发提供了强有力的支持。