一种基于空腔图形化衬底的Micro-LED芯片制备方法

本发明公开了一种基于空腔图形化衬底的Micro‑LED芯片制备方法，包括：1)提供外延片，所述包括衬底和外延层，所述外延层包括AlN缓冲层、n‑GaN层、有源区层、p‑AlGaN电子阻挡层和p‑GaN层；2)在所述p‑GaN层表面沉积一层SiO2保护层；3)利用纳秒脉冲激光对所述外延层进行扫描刻蚀，形成沟槽；4)利用热化学腐蚀对所述沟槽进行腐蚀，在所述衬底与所述AlN缓冲层界面靠近所述沟槽区域形成空腔微结构；5)去除步骤2)中所述SiO2保护层，引入ITO层，并对所述ITO层进行刻蚀以形成图形化ITO层；6)在所述图形化ITO层上沉积一层SiO2钝化层，在所述SiO2钝化层蒸镀p电极和n电极，形成所述Micro‑LED芯片。该方法制备的Micro‑LED芯片的正面光输出功率，提升了芯片的光电性能。