基于半绝缘型碳化硅微通道的高功率VCSEL器件及其制备方法

本公开提供了一种基于半绝缘型碳化硅微通道的高功率VCSEL器件及其制备方法，该器件自上而下包括：高功率VCSEL芯片（1）；焊料层（2），用于连接VCSEL芯片（1）和微通道层（3）；单层微通道层（3），为半绝缘型碳化硅材料，包括通道层上表面（31）、微通道结构（302）和通道层下表面（32）；其中，通道层上表面（31）上设有键合薄膜（311）、焊接薄膜（312）以及设于两者之间的绝缘沟道（313），键合薄膜（311）与VCSEL芯片（1）通过引线键合，焊接薄膜（312）通过焊料层（2）与VCSEL芯片（1）连接；金属热沉（4），用于与微通道层（3）形成液体流通的通路，对VCSEL芯片（1）进行散热。