采用动态调整的VCSEL芯片湿法氧化孔径优化方法

本发明公开了采用动态调整的VCSEL芯片湿法氧化孔径优化方法，涉及半导体制造技术领域，该方法包括：对氧化过程拟合观测，划分关键阶段，设置控制参数的优化优先级和特征。收集湿法氧化过程VCSEL芯片的温度、湿度、孔径变化和氧化时间数据，生成全局决策。将全局决策传递给参数关联控制层进行解析，建立全局目标，优化全局决策，调用局部控制层执行优化后的决策。解决了现有技术中对VCSEL芯片湿法氧化过程控制不精准，参数间联动关系考虑不足的技术问题，达到了对VCSEL芯片湿法氧化过程精准控制的技术效果。