一种具有异质波导的量子级联激光器及其制备方法

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一种具有异质波导的量子级联激光器及其制备方法
申请号:CN202411124596
申请日期:2024-08-16
公开号:CN119171182A
公开日期:2024-12-20
类型:发明专利
摘要
本发明涉及一种具有异质波导的量子级联激光器及其制备方法,属于光电子技术领域,激光器包括层叠结构、脊波导和电注入区,所述层叠结构自下而上包括N型InP衬底、N型InP缓冲层、N型InP下波导层、N型GaInAs下限制层、多周期有源区结构、N型GaInAs上限制层、N型InP上波导层和N型高掺杂InP欧姆接触层;N型InP上波导层上方保留部分N型高掺杂InP欧姆接触层,其余上方位置设有VO2沉积层;薄膜层和N型高掺杂InP欧姆接触层上方沉积有上电极金属层;N型InP衬底下方设有下电极金属层。通过对光限制因子和波导传输损耗因子的调控,实现芯片输出功率的提升以及阈值电流密度的降低。
技术关键词
量子级联激光器 欧姆接触层 电极金属层 层叠结构 有源区结构 异质 电子束蒸发技术 MOCVD工艺 波导传输损耗 衬底 薄膜层材料 脊波导结构 芯片 缓冲层 蒸镀薄膜 上电极 周期 因子
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