一种抑制腐蚀的半导体芯片清洗剂及其制备方法与应用

本发明涉及一种抑制腐蚀的半导体芯片清洗剂及其制备方法与应用。所述的清洗剂，按照重量份计算包括如下组分：腐蚀抑制组合物5‑20份；有机胺20‑50份；络合剂1‑10份；极性有机溶剂20‑50份；去离子水15‑40份；腐蚀抑制组合物为壳多糖类物质和黄酮类物质的混合物。本发明采用黄酮类物质其分子的结构使得分子能与金属表面紧密结合，为金属提供保护，防止金属腐蚀；壳多糖类物质结构中的未共用电子对与金属中的空键轨道容易配位成键，形成钝化膜保护金属，两种物质会在金属表面上发生竞争吸附，达到协同作用增强缓蚀的效果。本发明清洗剂环保、稳定性好，对侧壁聚合物杂质的清洗效果优异，不会对基底产生腐蚀。