半导体装置、高频装置及其制造方法

本公开涉及半导体装置、高频装置及其制造方法。本公开提供能实现特性的调整的半导体装置。半导体装置(100)具备：导电性的基座(11)；第一芯片和第二芯片，搭载于所述基座上；以及第一接合线(32)，将所述第一芯片与所述第二芯片之间电连接，传输高频信号，所述基座具有第一开口(15)，该第一开口(15)在厚度方向贯通，且在从所述基座的厚度方向观察时不隔着导电体层地与所述第一接合线的至少一部分重叠。