制造半导体装置的方法和扇出面板级封装件
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制造半导体装置的方法和扇出面板级封装件
申请号:
CN202510284711
申请日期:
2025-03-11
公开号:
CN120659336A
公开日期:
2025-09-16
类型:
发明专利
摘要
提供了制造半导体装置的方法和扇出面板级封装件。制造半导体装置的方法可以包括:通过执行扇出晶圆级封装工艺来形成半导体子封装件;从至少一个晶圆将半导体子封装件切单;以及将半导体子封装件重构为扇出面板级封装件(FOPLP)。
技术关键词
封装件
半导体芯片
扇出面板级封装
扇出晶圆级封装
半导体装置
模制材料
重构
间距
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