半导体装置

本发明提供一种能够延迟焊料的劣化的进展的半导体装置。在半导体装置中，包括：半导体芯片（12），其在上表面（12a）包括主电极（12a2），在下表面（12b）包括其他主电极；以及引线框（13a），其包括具备经由焊料（17b）而与主电极（12a2）接合的接合面（14a2），并且在俯视时接合面（14a2）位于半导体芯片（12）的上表面（12a）内的主电极接合部（14a）和从主电极接合部（14a）的外周延伸的竖立部（15a1）。此外，从接合面（14a2）的外缘区域（14a22）起到半导体芯片（12）的上表面（12a）为止的第一高度H1大于从在接合面（14a2）中除去了外缘区域（14a22）而得的中间区域（14a21）起到半导体芯片（12）的上表面（12a）为止的第二高度H2。