使用衬底的裸片到裸片链路及制造方法

AITNT
正文
推荐专利
使用衬底的裸片到裸片链路及制造方法
申请号:CN202510422710
申请日期:2025-04-07
公开号:CN120857515A
公开日期:2025-10-28
类型:发明专利
摘要
本公开涉及使用衬底的裸片到裸片链路及制造方法。提供用于实施半导体封装或芯片封装的新颖工具及技术,且更特定来说,提供用于实施包含用于裸片到裸片互连的两个或更多个高密度层的半导体封装或芯片封装的方法、系统及设备。在各种实施例中,一种半导体装置包含包括两个或更多个第一层及第二层的衬底。所述两个或更多个第一层的第一长度可小于所述第二层的第二长度。所述半导体装置可进一步包含耦合到所述衬底的所述第二层的第一裸片及耦合到所述第二层的第二裸片。所述两个或更多个第一层中的至少一者包括将所述第一裸片耦合到所述第二裸片的连接器。
技术关键词
半导体装置 衬底 半导体封装 导电层 芯片封装 新颖工具 链路 通孔 高密度
系统为您推荐了相关专利信息
1
Micro-LED外延结构的制造方法及Micro-LED芯片
GaN层 LED外延结构 应力释放层 量子阱发光层 衬底层
2
一种芯片的制作方法、芯片及电子设备
导电层图形化 柔性 绝缘 线路 芯片制作技术
3
一种具有双封装体的半导体封装结构
半导体封装结构 载体框架 封装体结构 功能面 芯片
4
改善芯片封装回流焊接良率的方法
初始焊球 封装结构 封装基板 芯片封装 焊膏材料
5
一种具有三明治结构的芯片封装散热液冷装置
散热液冷装置 三明治结构 散热底座 芯片封装 金刚石
添加客服微信openai178,进AITNT官方交流群
驱动智慧未来:提供一站式AI转型解决方案
沪ICP备2023015588号