用以最大化跨越空腔的触点密度的结构及方法

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用以最大化跨越空腔的触点密度的结构及方法
申请号:CN202411127003
申请日期:2024-08-16
公开号:CN119581445A
公开日期:2025-03-07
类型:发明专利
摘要
本公开涉及用以最大化跨越空腔的触点密度的结构及方法。提供用于实施半导体封装或芯片封装的新颖工具及技艺,且更特定来说,提供用于实施包含一或多个沟道通孔的半导体封装或芯片封装的方法、系统及设备。在各种实施例中,一种设备包含:第一层,其包括沟道;第一通孔,其穿过所述第一层延伸到所述沟道的第一表面;及线,其将所述第一通孔连接到垫片。在一些情形中,所述第一表面位于所述沟道的底部处。
技术关键词
半导体装置 垫片 通孔 跨越空腔 半导体封装 芯片封装 新颖工具 阵列 触点 密度
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