直接键合铜基底、绝缘栅双极晶体管封装模块及制备工艺

AITNT
正文
推荐专利
直接键合铜基底、绝缘栅双极晶体管封装模块及制备工艺
申请号:CN202411374833
申请日期:2024-09-29
公开号:CN119361562A
公开日期:2025-01-24
类型:发明专利
摘要
本发明实施例提供了一种直接键合铜基底、绝缘栅双极晶体管封装模块及制备工艺,直接键合铜基底可以包括:第一覆铜层;陶瓷层,一面与第一覆铜层的一面连接,陶瓷层添加有增韧物质;第二覆铜层,一面与陶瓷层的另一面连接。通过在陶瓷层添加增韧物质来对陶瓷层进行增韧,从而避免绝缘栅双极晶体管封装模块因为陶瓷层开裂而失效的问题。
技术关键词
绝缘栅双极晶体管 封装模块 氮化物陶瓷颗粒 基底 铜框架 纳米氧化铝颗粒 导电铜浆 碳化物陶瓷 双面覆铜 二氧化锆 焊锡 铜板 导线 晶须 纤维 芯片 模具 涂覆
系统为您推荐了相关专利信息
1
一种霍尔传感器的封装结构的制备方法
集成芯片 封装结构 隔离垫片 霍尔传感器 框架
2
一种耦合天线结构的RFID标签
耦合天线结构 金属环 标签 聚醋酸乙烯胶粘剂 脲醛树脂胶粘剂
3
带有双侧半包裹金属电极的半导体桥换能芯片及制备方法
半导体桥换能芯片 多晶硅功能层 金属电极 基底层 包裹
4
面向Modelica模型的初始稳态编译方法及系统
Modelica模型 稳态 方程 编译方法 编译系统
5
高光谱线阵TDI图像传感器和图像处理方法
图像传感器 像素阵列 超构表面 超表面 图像处理方法
添加客服微信openai178,进AITNT官方交流群
驱动智慧未来:提供一站式AI转型解决方案
沪ICP备2023015588号