一种半导体光放大器和石墨烯的散热阵列微结构及其制备方法

本发明公开了一种半导体光放大器和石墨烯的散热阵列微结构及其制备方法，包括从上到下依次设置的半导体光放大器芯片、石墨烯散热基板和热沉，所述半导体光放大器芯片的下表面与石墨烯散热基板的上表面通过第一键合层进行键合，所述石墨烯散热基板的下表面通过第二键合层进行键合。本发明采用二维石墨烯材料，其热导率为2000‑5000 W/m•k，可以大大提高SOA散热能力；同时，对键合面采取了独特的微型阵列结构处理，可至少增大20%左右的接触面积，大大提高了热传递速率；本发明改善了SOA的散热能力，进一步提高了SOA的性能和可靠性，为5G时代的光纤通信发展增加技术保障。