一种声传感器芯片加工及封装方法

本发明公开了一种声传感器芯片加工及封装方法，首先对第一SOI晶圆的器件层进行第一次图形化浅腔刻蚀，形成两个浅腔和一个锚点；在两个浅腔内刻蚀形成止挡结构；在器件层的表面通过热氧工艺生成第二氧化层；将第一SOI晶圆的器件层图形化刻蚀到埋氧层，将止挡结构和下电极与器件层中的其它硅进行物理隔离；依次图形化刻蚀下电极上的器件层到埋氧层，再刻蚀埋氧层到衬底层，最后再将衬底层刻蚀一定的深度，最终得到阻尼孔；将两片SOI晶圆的器件层进行面对面的硅硅键合；去除第二SOI晶圆衬底层上的第一氧化层、衬底层以及埋氧层。本发明加工方法提高抗振动干扰MEMS全差分麦克风的灵敏度、信噪比和带宽等指标。