红外探测器芯片及其制备方法

本发明涉及半导体光电器件技术领域，提供了一种红外探测器芯片，包括衬底以及生长于所述衬底上的外延结构，所述外延结构包括台面层，所述台面层远离所述衬底的部分结构外壁上覆盖有第一钝化层，所述台面层靠近所述衬底的另外一部分结构外壁上覆盖有第二钝化层。还提供一种红外探测器芯片的制备方法。本发明通过采用多层钝化层的方式，较之传统采用一层钝化层的方式，可以有效改善钝化侧壁深度和倾斜度，提高钝化层生长均匀性。