摘要
本发明公开了一种基于SRAM的动态修补方法和SRAM测试与质量验证平台,动态修补方法应用于SRAM TQV,且SRAM TQV上设置有虚拟冗余资源,所述动态修补方法包括对通过直流测试的晶圆进行一次功能测试和一次最小电压测试,并记录晶圆中所有失效区域的所有失效地址,所有失效区域包括一次功能测试失效区域和/或一次最小电压测试失效区域;根据预设算法将所有失效地址划分为对应的失效模式,失效模式包括块失效、字线失效和位线失效;获取修补算法,并根据修补算法和失效模式,使用虚拟冗余资源对所有失效地址进行地址修补。本发明实现SRAM TQV对晶圆验证分析过程中的动态修补,解决了现有的SRAM TQV无法对SRAM的失效部分动态修补导致难以继续对芯片外围电路进行测试的问题。
技术关键词
修补方法
修补算法
泄露电流测试
动态
冗余
验证平台
模式
晶圆
电压
资源
位线
存储阵列
短路
电路
待机
电源
芯片
系统为您推荐了相关专利信息
人工智能决策
多自由度机械臂
视觉人工智能
深度学习算法
运动控制决策
水面垃圾清理机器人
软件控制系统
激光雷达
动态障碍物
推进器
水利水电工程施工
安全监管系统
安全监管方法
动态知识图谱
风险
锂电池SOH估计
二次插值法
锂电池健康状态
电池模型参数
误差预测