一种基于SRAM的动态修补方法和SRAM测试与质量验证平台

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一种基于SRAM的动态修补方法和SRAM测试与质量验证平台
申请号:CN202411442306
申请日期:2024-10-15
公开号:CN119741958A
公开日期:2025-04-01
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种基于SRAM的动态修补方法和SRAM测试与质量验证平台,动态修补方法应用于SRAM TQV,且SRAM TQV上设置有虚拟冗余资源,所述动态修补方法包括对通过直流测试的晶圆进行一次功能测试和一次最小电压测试,并记录晶圆中所有失效区域的所有失效地址,所有失效区域包括一次功能测试失效区域和/或一次最小电压测试失效区域;根据预设算法将所有失效地址划分为对应的失效模式,失效模式包括块失效、字线失效和位线失效;获取修补算法,并根据修补算法和失效模式,使用虚拟冗余资源对所有失效地址进行地址修补。本发明实现SRAM TQV对晶圆验证分析过程中的动态修补,解决了现有的SRAM TQV无法对SRAM的失效部分动态修补导致难以继续对芯片外围电路进行测试的问题。
技术关键词
修补方法 修补算法 泄露电流测试 动态 冗余 验证平台 模式 晶圆 电压 资源 位线 存储阵列 短路 电路 待机 电源 芯片
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