掩模版及光刻工艺

本发明属于半导体技术领域，提供一种掩模版及光刻工艺。掩模版第一图形器件区域为纳米压印光刻图形区域，为非透光图形区域，包括用于进行纳米压印的电子芯片图形；第二图形器件区域为接触式/接近式光刻图形区域，为透光光罩区域，包括用于曝光的电子芯片图形；第一图形器件区域和所述第二图形器件区域集成在一块掩模版，以使纳米压印光刻过程和接触式/接近式光刻能够同步进行。采用掩模版对晶圆基底进行处理，包括：采用第一图形器件区域对光刻胶进行纳米压印处理，获得纳米压印图形，采用第二图形器件区域对光刻胶进行曝光处理，获得曝光图形；使用显影液溶解去除曝光图形的光刻胶；将纳米压印图形，以及显影后的曝光图形转移到晶圆基底上。