一种HEMT驱动的365nm波长的近紫外双向光通信单片集成芯片及其制备方法

本发明属于光通信芯片的技术领域，具体涉及一种HEMT驱动的365nm波长的近紫外双向光通信单片集成芯片及其制备方法。将光发射器、光接收器和驱动的功能集成到一个芯片中，发射端发出的光耦合进入光波导并被光电探测器检测，光信号转化为电信号，完成芯片内的信息传输，无需两套光发射器和光接收器即可构建双向光通信链路；采用DBR布拉格反射层可将各个方向的出射光反射回直波导区波导，使其沿直波导区波导传输至接收端，通过设计DBR的材料与周期，可增加反射约70%的出射光，提高探测的准确度；集成HEMT驱动减小了整体电路的体积和复杂性，HEMT在高电流下仍能保持良好的线性性能，减少失真，确保LED光输出的稳定性。