摘要
本发明提供了一种倒装Mini‑LED芯片及其制备方法、照明设备,涉及半导体技术领域。该倒装Mini‑LED芯片在芯粒结构的周围形成包裹芯粒结构设置的第一DBR层,实现了对N型半导体层等膜层的保护,以使在制备芯粒结构的过程中可以去掉DE深刻蚀这一道工序,进而实现提高倒装Mini‑LED芯片发光效率、降低芯片尺寸以及提高使用寿命的目的。并且所述第一DBR层暴露出所述第一焊盘的部分表面以及所述第二焊盘的部分表面,保证该倒装Mini‑LED芯片可以与外部组件实现正常的电连接,并不影响倒装Mini‑LED芯片的使用。
技术关键词
LED芯片
半导体层
ALD工艺
照明设备
多量子阱层
衬底
焊盘
包裹
层叠
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