发光二极管芯片及其制备方法

本公开提供了一种发光二极管芯片及其制备方法，属于电子器件领域。该发光二极管芯片包括：外延层和反光层；外延层位于反光层的一侧，外延层包括依次层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层，第一半导体层靠近反光层，第一半导体层的外边缘、内边缘中的至少一处具有斜面，斜面朝向反光层。本公开能够有效的提升发光二极管芯片的光效。