一种发光二极管芯片及其制备方法

本发明涉及LED的技术领域，本发明公开了一种发光二极管芯片及其制备方法，所述发光二极管芯片包括衬底和层叠于衬底上的外延层；外延层上形成有N型导电台阶和隔离槽；外延层上设置有电流扩展层和防脱落层，防脱落层覆盖所述电流扩展层，防脱落层上形成有贯穿至所述外延层或电流扩展层的第一通孔，第一通孔内设置有依次层叠的金属层和金属保护层。其中，防脱落层包括依次层叠的第一子层、第二子层和第三子层；第一子层为SiO2膜层，第二子层包括周期性交替生长的Al2O3膜层和SiO2膜层，第三子层为Al2O3膜层。实施本发明，可以防止金属层的脱落，提升发光二极管芯片的良率。