一种LED量子阱的外延结构及其生长方法

本发明涉及半导体器件技术领域，尤其是涉及一种LED量子阱的外延结构及其生长方法。包括有源层，有源层由多个单元结构周期性堆叠组成，每一单元结构包括依次生长的量子阱层、盖层和量子垒层，其中：量子阱层包括交替生长的铟镓氮层和处理层形成的超晶格结构。本发明的铟镓氮生长时间短，单层厚度为传统铟镓氮厚度的5%～15%，大幅减少了铟镓氮受到的压应力，提升了量子阱的晶体质量。并且，在短时间的铟镓氮生长后保持氨气和铟进行处理，可以减少氮空位缺陷，同时还能减少铟镓氮中铟的分解，减少了量子阱中的缺陷。本发明明显提升量子阱的晶体质量，显著提高了LED在小电流密度下的发光效率。