一种可见光通信用LED外延结构及其制备方法

本申请涉及可见光通信技术领域，具体提供了一种可见光通信用LED外延结构及其制备方法，该外延结构包括：由下至上依次连接的衬底、缓冲层、u‑GaN层、n‑GaN层、多量子阱层、p型电子阻挡层和p‑GaN层；多量子阱层包括多层InGaN势垒层和若干层InGaN阱层，InGaN势垒层和InGaN阱层交替设置且InGaN势垒层的数量比InGaN阱层的数量多一；该外延结构能够同时实现提高微型LED芯片的带宽以及光输出功率。