高色纯度的Micro-LED芯片

本发明提出了高色纯度的Micro‑LED芯片，包括n型电极、外延叠层和p型电极，外延叠层包括n型半导体层、多量子阱发光层和p型半导体层，多量子阱发光层位于n型半导体层和p型半导体层之间，外延叠层的侧壁包覆有第一绝缘层，外延叠层的顶面包覆有可透光的第二绝缘层，第一绝缘层的外侧设置有反射层，第二绝缘层的上方设置有环形遮光层，环形遮光层的外形轮廓与外延叠层的外形轮廓相同，环形遮光层的中部为镂空透光区域，且镂空透光区域在纵向的投影面积小于外延叠层的底面在纵向的投影面积。该Micro‑LED芯片通过环形遮光层等结构设置，提高了色纯度和光提取效率，同时优化了电学性能和发光性能。