半导体器件以及半导体器件的制备方法

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半导体器件以及半导体器件的制备方法
申请号:CN202411461208
申请日期:2024-10-18
公开号:CN119476383A
公开日期:2025-02-18
类型:发明专利
摘要
本申请提供一种半导体器件以及半导体器件的制备方法,所述半导体器件包括:突触单元,包括有突触电路,所述突触电路包括至少一个第一传导元,并用于接收至少一个输入信号,且输出至少一个突触脉冲信号;以及神经元单元,包括有至少一个积发电路,所述积发电路包括第二传导元,并用于接收所述突触脉冲信号,且输出一个积发信号;其中,所述第一传导元与所述第二传导元同为具有阈值翻转特性的传导元。通过本申请提供的半导体器件以及半导体器件的制备方法,不仅具有很好的可靠性,并可以接受外部的连续信号,将其转换为脉冲信号,从而传递给神经元单元进行电荷累计和点火,而且可以通过电流来控制输入信号的权重,从而实现阵列学习特性,进而实现基于单一OTS器件的完整的人工神经网络。
技术关键词
半导体器件 突触电路 输出线 双向阈值开关 脉冲 发信号 可调电流源 人工神经网络 阵列 输入端 电容 数值 代表 输出端 频率
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