半导体器件及其制造方法

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半导体器件及其制造方法
申请号:CN202411470481
申请日期:2024-10-21
公开号:CN120600717A
公开日期:2025-09-05
类型:发明专利
摘要
本公开的一些实施例涉及半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括:第一半导体芯片,所述第一半导体芯片包括第一接合焊盘以及一个或更多个第一虚设图案;以及第二半导体芯片,所述第二半导体芯片位于所述第一半导体芯片上,包括第二接合焊盘和以及一个或更多个第二虚设图案,其中,所述第一接合焊盘与所述第二接合焊盘接触,所述第一虚设图案与所述第二虚设图案接触,所述第一虚设图案位于所述第一半导体芯片的边缘处并且被配置为从所述第一半导体芯片的侧表面暴露,并且所述第二虚设图案位于所述第二半导体芯片的边缘处并且被配置为从所述第二半导体芯片的侧表面暴露。
技术关键词
半导体芯片 半导体器件 图案 存储器芯片 焊盘 划片道区域 沟道结构 布线 电路 激光 源极线 元件 界面 锯片
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