半导体器件的制备方法和半导体器件

本发明涉及半导体技术领域，公开一种半导体器件的制备方法和半导体器件。其中，半导体器件的制备方法，包括：在第一器件部上的待互联位置依次形成种子层和焊接体；在形成焊接体的过程中，焊接体中的原子和种子层中的原子之间相互扩散，而在焊接体的侧壁形成共晶膜；对共晶膜进行刻蚀处理，去除共晶膜；对共晶膜进行刻蚀处理之后，将第二器件部上的待互联位置通过焊接体与第一器件部上的待互联位置进行互联。半导体器件的可靠性提高。