掩膜制造方法、装置、存储介质及电子设备

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掩膜制造方法、装置、存储介质及电子设备
申请号:CN202411483489
申请日期:2024-10-23
公开号:CN119002168B
公开日期:2025-02-07
类型:发明专利
摘要
本申请公开了一种掩膜制造方法、装置、存储介质及电子设备,其中,该掩膜制造方法包括确定初始版图的若干测量点,并获取测量点的蚀刻偏差值及其对应的初始特征信息;利用流形对初始特征信息进行修正,得到目标特征信息;采用目标特征信息和蚀刻偏差值进行模型训练,生成偏差值预测模型;利用偏差值预测模型获取初始版图的全部蚀刻偏差值;基于全部蚀刻偏差值生成掩膜版图案,进而进行掩膜制造。本方案可以降低掩膜制造过程中的蚀刻偏差。
技术关键词
蚀刻偏差 测量点 版图 LLE算法 图案 掩膜板 光学临近修正 光刻模型 电子设备 处理器 存储器 指令 程序
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