三维存储装置

提供了一种三维存储装置。该三维存储装置包括：存储单元阵列，在第一芯片中实现；以及外围电路，在第二芯片和沿竖直方向与第一芯片重叠的第三芯片中实现。外围电路包括：第一外围电路，在第二芯片和第三芯片中实现；第二外围电路，在第二芯片中实现并且包括至少一个高压晶体管；以及第三外围电路，在第三芯片中实现并且包括至少一个低压晶体管。第一外围电路包括：第一子外围电路，在第二芯片中实现并且包括至少一个高压晶体管；以及第二子外围电路，在第三芯片中实现并且包括至少一个低压晶体管。