半导体装置

本发明提供一种能抑制特性的劣化的半导体装置。半导体装置具备：基板，具有主面和与主面相对的背面；第一FET组，设于主面，具备在第一方向上排列的多个第一源电极、多个第一漏电极以及多个第一栅电极；第二FET组，设于主面，从与第一方向交叉的第二方向观察时与第一FET组重叠，具备多个第二源电极、多个第二漏电极以及多个第二栅电极；多个第一栅极焊盘，设于第一FET组与第二FET组之间的主面，与多个第一栅电极和多个第二栅电极电连接；多个漏极布线，在第一FET组与第二FET组之间与多个第一栅极焊盘交替地设于主面，将多个第一漏电极与多个第二漏电极分别电连接；以及漏极焊盘，电连接于多个第一漏电极，使第一FET组配置于漏极焊盘与多个第一栅极焊盘之间。