一种基于交叠铜排导电的低电感SiC半桥功率模块布局

本发明涉及一种基于交叠铜排导电的低电感SiC半桥功率模块布局结构。该结构下，利用交叠铜排替代传统封装结构中的键合线，铜排上加工凹坑与芯片顶面功率电极相连，铜排折弯与基板覆铜相连，实现电流的导通。基于本发明交叠铜排结构，上、下开关管导通时，下、上层导电铜排上，电流路径之间存在互感相互抑制，模块具有低寄生电感；上、下层铜排两端均与基板间存在固定连接，中间位置均与芯片顶面电极具有固定连接，模块可靠性高；上、下层铜排厚度可调，保证模块通流能力；铜排加工成本较低，且无需垫块、减少了连接界面数量。因此，本发明提出的模块布局结构，在寄生电感、出流能力、成本角度，相比现有布局封装结构具有突出优势，适于推广应用。