一种功率模块

本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种功率模块，包括基板、衬板、作为上管的芯片单元一和作为下管的芯片单元二，芯片单元一布置在衬板靠近AC端子的一端，芯片单元二布置在衬板靠近DC端子的一端；芯片单元一和芯片单元二均包括两对以上的IGBT和二极管芯片，IGBT和二极管芯片均为一字型布置，且芯片单元二中的IGBT位于靠近芯片单元一的一侧；衬板位于芯片单元一和芯片单元二之间的区域设置有孤岛铜皮一，衬板上连接下管G极辅助端子的下管铜皮一位于AC端子所在的一端，芯片单元二中IGBT的门极均与孤岛铜皮一互连，孤岛铜皮一与下管铜皮一互连。本发明适用于低感封装，可减小电磁干扰和控制回路杂感，提高响应速度。