用于DFB高速激光器芯片的外延精度优化方法及装置

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用于DFB高速激光器芯片的外延精度优化方法及装置
申请号:CN202411521171
申请日期:2024-10-29
公开号:CN119026538B
公开日期:2025-07-04
类型:发明专利
摘要
本申请提供了用于DFB高速激光器芯片的外延精度优化方法及装置,涉及半导体激光器制造技术领域,包括:采集结构点云数据信息,进行空间数据融合;构建激光器芯片外延工艺数据库,得到预测模型;获取目标应用场景参数,同数据库进行匹配优选;利用数字孪生技术将三维空间模型和预测模型进行嵌套融合,并对可用控制参数进行精度预测和优化分析,输出工艺控制参数,进行外延精度优化控制。通过本申请可以解决现有技术中由于现有芯片外延工艺的生长条件不稳定,导致工艺控制参数不精确,进而影响了外延精度的技术问题,通过引入激光扫描和三维建模,实现了对外延工艺参数的精确预测和优化,提高了DFB高速激光器芯片的外延精度。
技术关键词
高速激光器芯片 外延 工艺控制参数 精度优化方法 三维空间模型 深度神经网络结构 数字孪生技术 场景 指标 激光扫描仪 点云 优化装置 三维模型 半导体激光器 控制模块
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