一种多工序双向压力调节半导体晶圆抛光装置及方法

本发明涉及一种多工序双向压力调节半导体晶圆抛光装置及方法，包括：工作台、抛光工具头、上下料装置、主轴模块、滑台和若干压力控制模块，压力控制模块安装在工作台上；抛光工具头安装在主轴模块上，工作台、主轴模块均安装在滑台上，滑台用于实现主轴模块的高度位置调节，主轴模块通过丝杠进给对晶圆粗调施加压力，每个压力控制模块上均设置有压力传感器与微纳驱动平台，待抛光半导体晶圆放置在压力控制模块的顶端，上下料装置用于完成待抛光半导体晶圆的上料和加工后下料，各压力控制模块对不同工位/工序上抛光压力进行在线检测，通过微纳驱动平台动态精准调节抛光时的压力，使每片晶圆始终保持最优加工参数，完成对晶圆的抛光加工。