一种基于SRAM阵列的掉电复位电路

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正文
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一种基于SRAM阵列的掉电复位电路
申请号:CN202411560704
申请日期:2024-11-04
公开号:CN119496492B
公开日期:2025-11-18
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种基于SRAM阵列的掉电复位电路,包括:启动控制电路,根据电源电压生成启动信号;启动电路,根据启动信号使电流基准电路稳定工作以摆脱简并点;电流基准电路,在启动电路的影响下,根据电源电压生成SRAM的负载电流;电流镜,将负载电流复制到SRAM阵列中的每个SRAM;SRAM阵列,每个SRAM分别对负载电流和自身锁存器的锁存电流进行比较,输出各自的比较结果;输出逻辑电路,根据所有的比较结果输出控制信号,以控制FPGA芯片是否复位。通过引入启动控制电路和启动电路,以摆脱简并点;采用负载电流与SRAM锁存电流的比较来改变SRAM输出值,省略了基准电压和电阻串,从而减少电路面积并降低功耗。
技术关键词
电流基准电路 掉电复位电路 启动控制电路 栅极 启动电路 阵列 逻辑电路 电流镜 电容 FPGA芯片 反相器 电阻 电源 输出端 信号 基准电压 输入端
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