一种MOSFET器件和芯片

本发明实施例提供了一种MOSFET器件和芯片，包括N型衬底；N型外延层，设于N型衬底另一侧；N型电流扩展层和第一P型埋层，设于N型外延层上方；N型电流扩展层与第一P型埋层连接；第一N+区，设于第一P型埋层的表面形成的凹槽中；沟槽，形成于N型电流扩展层和第一P型埋层上方；源极多晶硅区、栅极多晶硅区和氧化层，设于沟槽内，氧化层覆盖源极多晶硅区和栅极多晶硅区的表面。本发明实施例通过N型电流扩展层和第一P型埋层形成在源极多晶硅下方的沟道二极管，当器件处于反向导通状态时，沟道二极管比体二极管先导通，从而避免了处于反向续流工作模式时，体二极管续流损耗大且存在双极退化的问题。