一种改善续流能力的碳化硅MOSFET器件及其制造方法

本发明提供一种改善续流能力的碳化硅MOSFET器件，包括MOSFET结构，以及多个集成在所述MOSFET结构内的JBS结构；JBS结构从下至上设置漏极金属、N型衬底层、N型外延层、源极肖特基接触合金层和源极金属，所述N型外延层的顶面设置由垂直PP区与平行pp区构成的矩形圈PP区，所述垂直PP区的两端位于所述P型体区内或者所述P型体区的两侧边界，多个第二PP区设置于所述矩形圈PP区内，本发明明显降低续流的导通压降、能量损耗和碳化硅二极管的开启电压，提升器件的续流能力。