一种具有软恢复的超结MOSFET及其制备方法、芯片

本申请属于功率器件技术领域，提供了一种具有软恢复的超结MOSFET及其制备方法、芯片，通过设置N型漂移层呈十字形结构，将第一P柱与第一P型基区分隔开，由N型漂移层对第一P柱与第一P型基区之间的区域进行填充，将第二P柱与第二P型基区分隔开，由N型漂移层对第二P柱与第二P型基区之间的区域进行填充，该十字形结构抑制了超结MOSFET器件在反向恢复时第一P型基区中的空穴向第一P柱的注入，第二P型基区中的空穴向第二P柱的注入，减缓了体二极管的反向恢复，有效降低了该超结MOSFET在反向恢复中的硬恢复，提高了超结MOSFET的软度因子，改善了超结MOSFET器件在使用中的EMI噪声。